2019-12-07

進口真空泵及薄(báo)膜的基礎概念

我們生產的為非晶矽薄膜太陽能電池,了解 PECVD設備及工藝需要對真空鍍膜有一個了解,並且對半導體物理及薄膜知識有一定的(de)認識。不同設備和不同類型規格的薄膜要(yào)采用適當的分切工藝,設備狀況變化時也可以通(tōng)過(guò)工藝調整給(gěi)予彌補,但工藝調整(zhěng)必須謹慎。我們先對進口真空泵及薄膜的基礎概念做一個粗略的了解。

 

關於進口真空泵及薄膜的基礎概念,東莞市91视频网站(kè)真空科(kē)技有限公司分為兩個方麵進行分析。

 

進口真空泵


關於薄膜的基礎(chǔ)概念,有以下幾個方麵。

 

①薄膜:在嚴格的學術意義上,認為隻有聚集厚度小於某一特征厚度的材料才是真正的薄(báo)膜,否則便是一般的薄材料。

②特(tè)征厚度(dù):是利用物質的(de)某些基本性質在(zài)物質聚集厚度很薄的情(qíng)況下會發生異常變化的現象而確定的,即當被選定為參考的某一物(wù)理(lǐ)性質(zhì)或機械性質開始顯示出不(bú)同於它通常所具有的特點時的厚度,便是給物質的薄膜特征厚度。可以認為(wéi)薄膜是一種(zhǒng)二維的(de)材料。

③沉積技術:

氣(qì)相沉積(將構成(chéng)薄膜的物質氣化後在沉積(jī)到襯底上)。

液相(xiàng)沉積(在(zài)液體中沉積鍍(dù)膜)。

氣(qì)相沉(chén)積:比較容易控製薄膜的組分。

液相沉積:在接近於(yú)熱平衡的條件下成膜,能獲得較妤的膜質。

 

薄膜的主要性能(néng)

①膜厚:越均勻(yún)越妤,一般應(yīng)控製在一個(gè)範(fàn)圍以內比如5%,這與玻璃基板尺寸有關。

②膜表麵形貌:通過掃描電(diàn)子顯微鏡(SEM)投射電子顯微鏡(jìng)(TEM)等(děng)分析表明顆粒狀態,可獲得(dé)薄膜表麵的致密情況,缺陷狀態,退(tuì)火(huǒ)處理對膜表麵的影響(xiǎng)等(děng)信息。

③膜機構特性:用Ⅹ射線衍射分析膜的組成成分,可獲得(dé)膜的純度等信息。

膜應力:薄膜內部的應力越小越好,通過退(tuì)火處理可最大程(chéng)度的釋放膜的內部應力。

④膜與(yǔ)襯底的接觸特性:主要是指薄膜與襯底之間的附著力,當然附著力越強越好,可避免薄膜(mó)出現缺失,開路等。

⑤膜的致密性:主要指的是(shì)膜(mó)層的硬度和抗磨性。避免外界劃傷引起的(de)開路現膜(mó)的化學,熱穩定性。

⑥針對金屬膜層:要求製備出(chū)的金屬膜層的電阻率(lǜ)盡可能(néng)低(dī),接近體電阻率。

 

關於進口(kǒu)真空泵的基礎概念

 

①真空:低於一個(gè)大氣(qì)壓的狀態(tài)就是真空。

②真空度:真空狀態下氣體的稀薄程度。

③標準環境條件:溫度20°C,相對濕度65%,大氣壓力101325Pa。

④真空特點:氣體分子平均自由程大;單位麵積上分(fèn)子與固體表麵碰撞幾率變小;氣(qì)體分子密度低;剩餘(yú)氣(qì)體對沉積膜的摻雜減(jiǎn)小。要想獲得高品質的薄膜就必須有一個(gè)比較理想的本底(dǐ)真空。

 

進口真空泵的(de)不同真空狀態下真空工藝應用

 

⒈粗真空(10000-1000Pa):氣體狀態與常壓相比隻是分子數量的減少,沒(méi)有氣體空間特(tè)性的變化,分子間碰撞頻繁,此時的吸(xī)附氣體釋(shì)放可以不予考慮,氣體運動以粘滯流為主。主要是利用壓力差(chà)產生的(de)力來實現真空力學應用(真空吸引或運輸固體、液體、膠體等真空吸盤起重,真空過濾)

 

⒉低真空(1000-0.1Pa):氣體分子間,分子與器壁間碰撞不相上下,氣體分子密度較小,氣(qì)體釋(shì)放也可不考慮,氣體運動(dòng)以(yǐ)中間流為主(zhǔ)。利用氣體(tǐ)分子密度降低可實現無氧化(huà)加熱,利用(yòng)氣壓降低時氣體的熱傳導和對流逐漸消失的原(yuán)理可以實現真空隔熱及絕緣(yuán),利用壓強降低液體(tǐ)沸點也降低的原理實現真空冷凍和真(zhēn)空幹燥(黑色金屬真空熔煉脫氣,真空絕緣和真空隔熱,真空冷凍及千燥,高速空氣動力學實驗中的低壓風洞)。

 

⒊高(gāo)真空(0.1-0.0001Pa):氣體分(fèn)子間(jiān)相互碰撞極少,氣(qì)體分(fèn)子與(yǔ)器壁(bì)間碰撞頻繁,氣(qì)體運動以分子流為主,此時(shí)的氣體釋放是影響真(zhēn)空度(dù)及抽氣時間的一個(gè)主要原因。利(lì)用氣體分(fèn)子密度低,任(rèn)何物質與氣體殘餘分子發生化學作用微(wēi)弱的特點進行(háng)真空冶金,真空鍍膜(超純金屬、半導體材料(liào)的真空提純(chún)及精製,真空(kōng)鍍膜,離子(zǐ)注入、幹法刻蝕等表麵改性,真空器件的生產:光電管、各種粒子加速器等)。

 

⒋超(chāo)高真空(>0.0000Pa):氣體分子與器壁的碰撞次數極少,氣體空間隻有固體本身的原子,幾部沒有(yǒu)別的分子或原子的存在,此時壓強的升高(gāo)除了泄漏外主要就是器壁分子的釋放。應用:宇宙空間環境的(de)模擬,大型同步質子加速器的運轉。


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